物質由于某種原因（熱、電、磁、粒子轟擊或化學反應等）以電磁波形式向外界發(fā)射能量的現象稱為輻射。物體因具有溫度而發(fā)射電磁波的現象則稱為熱輻射，一切溫度高于絕對零度的物體都可進行熱輻射，溫度越高其輻射出的總能量也越大。

對于依靠大功率發(fā)動機的設備或者是在工作時產生高溫的設備來說，其特殊的工作原理會導致本身的輻射量大幅度增加，與背景形成強烈的輻射反差，增加了被探測到的概率。為了提高這類設備的生存能力，于是應運而生了隱身技術。所謂隱身技術是指通過改變目標發(fā)出的可探測性的特征信息，抑制其發(fā)出的信號，從而降低其被探測發(fā)現的風險，達到提高目標生存能力的一門綜合技術。伴隨著紅外探測器技術的高速發(fā)展，使得紅外隱身技術能力亟需提升。

紅外隱身技術主要由兩種方式來提高隱身性能。一種是通過控制設備的表面溫度，使得紅外探測裝置無法探測，另一種是通過降低設備表面的紅外發(fā)射率。這就分為了兩個研究領域去同時提升設備的紅外隱身性能。其中因國內材料學科的興起與技術的快速提升，研制出的能夠降低設備紅外發(fā)射率的涂覆材料種類也日益增加。通過降低設備紅外發(fā)射率的方式已然成為了降低設備紅外隱身性能的關鍵技術。

因為各種形式的物質只要溫度高于絕對零度（-273.15°C / -459.8°F），都會根據其溫度發(fā)射紅外輻射。紅外發(fā)射率則就是物質在某一特定溫度下物體發(fā)射出的紅外能與理論上在沒有損失時的的比例。而黑體的發(fā)射率為1，所以可以理解物質紅外發(fā)射率為：在某一特定溫度下物體發(fā)射出的紅外能與相同溫度下黑體的輻射能力之比。例如某物質能夠發(fā)射出95%的紅外能，那么其發(fā)射率則為0.95。

我司近年來一直致力于物質紅外發(fā)射率的測量與標定。并研制出一款便攜式紅外發(fā)射率測量儀，其基于定向半球反射比（DHR）測試原理，即紅外光以一定角度（20°±1°）照射到待測物質上，物質反射率定義為反射到積分半球的光強與全部反射到半球的光強比例。因此，測試出物質反射到積分球的信號強度，再測試出全部反射到積分球的信號強度，由此可計算出物質的反射率。針對非透明物質，其反射率+發(fā)射率=1可計算出物質的發(fā)射率。

半球反射測試原理圖

RLK650便攜式紅外發(fā)射率測量儀，是采用的光電檢測技術、數字信號處理技術、嵌入式軟件技術，以及人體工程學技術新型的光電檢測儀器。其基于定向半球反射比（DHR）測量原理，完成雙波段（3-5um和8-12um）發(fā)射率的貼近測量，產品針對野外、移動試驗條件設計，集公司多項技術積累，吸收產品技術與特點，具有攜帶方便、操作簡單等優(yōu)點，測量結果保存在SD卡中。可廣泛應用于飛機、艦船、車輛的紅外隱身性能現場評估，紅外隱身涂覆材料的研究等，是現代科研新的光電檢測儀器。